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Industrie / Automatisierung

Letzte Aktualisierung: 17.06.2013
International Rectifier
Neue 1200V-IGBTs liefern höhere Leistungsdichte und erhöhten Wirkungsgrad beim Einsatz in Antrieben und USV
International Rectifier (IR) stellte eine Familie robuster, ultra-schneller 1200V-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) vor, die für industrielle Antriebe sowie USV-Systeme optimiert sind. Die neuen Bausteine verwenden IR’s Field Stop Trench Ultra-Dünnwafer-Technologie, die geringere Leitungs- und Schaltverluste gewährleistet. Die mit einer Soft-Recovery-Diode mit niedrigem Qrr gemeinsam im Gehäuse untergebrachten sowie mit einer Kurzschlussfestigkeit von mindestens 10µs ausgestatteten Bausteine eignen sich optimal für Industrieapplikation im anspruchsvollen industriellen Umfeld. go
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